Resistores de memória serão comuns em 2013 |
O chip é capaz de registrar dados 10 mil vezes mais rápido do que as atuais memórias flash NAND.
Segundo o jornal The Nikkey, além de rápida, a memória também pode reduzir o consumo de energia a “virtualmente zero” em modo standby.
Para atingir o objetivo de produzir o chip em massa até 2013, se juntarão à Elpidia e à Sharp o Instituto Nacional de Ciência e Tecnologia Industrial, a Universidade de Tóquio e outros fabricantes de chips.
Correndo por fora, a Toshiba está trabalhando em um novo tipo de memória flash com estrutura em camadas enquanto a Samsung está desenvolvendo chips ReRam, PRAM (Phase Change Random Acces Memory) e RAM Magnetoresistiva (ou MRAM).
Sem dúvida, a competição é uma boa notícia para nós mortais que dependemos cada vez mais de memórias eficientes, baratas e de baixo consumo.
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